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【场景重现：张工在黑板上绘制 “改进点 - 技术路径 - 预期效果” 对应表，如 “低温启动慢→更换低温耐候晶体管 + 优化启动电路→启动时间≤5 秒”；旁边的技术员正在查阅《晶体管手册》，筛选 β 值衰减率低的 3AX31C 型晶体管。历史录音：“技术路径必须接地气，不能用太复杂的工艺 —— 要让部队能修、工厂能产！”】
低温适应性改进：技术路径为 “器件升级 + 电路优化”：更换 3AX31C 型晶体管（-30℃时 β 值衰减率≤8%，优于原 3AX31B 的 15%）；在启动电路增加预热模块（通电后先预热 2 秒再启动加密逻辑），预计启动时间从 10 秒缩短至 5 秒内。
接口耐用性提升：采用 “材质升级 + 结构优化”：触点从普通铜质改为镀金处理（镀层厚度 5μm，耐盐雾、耐氧化）；接口外壳增加橡胶防尘盖，减少沙尘、湿气侵入，预计使用寿命从 3 个月延长至 2 年以上。
密钥管理优化：通过 “逻辑简化 + 流程调整” 实现：将密钥更新步骤从 5 步缩减至 3 步，增加 “一键应急重置” 按钮；优化密钥存储逻辑，减少写入时间，预计更新耗时从 60 秒缩短至 30 秒内。
抗干扰能力增强：采用 “硬件屏蔽 + 算法调整”：加装增强型金属屏蔽罩（厚度 1mm，接地处理），减少外部电磁干扰；优化加密算法的跳频间隔（从 50ms 调整至 30ms），提升信号抗扰能力，预计错误率从 1.2% 降至 0.5%。
技术可行性评估：联合生产厂家（北京电子管厂）评估工艺难度：镀金接口可通过现有电镀生产线实现，成本增加≤10%；低温晶体管国内已量产，供应链稳定；所有改进均无需重构核心电路，可行性达 95%。
三、硬件优化方案细化：从设计到工艺的落地
【画面：1970 年北京电子管厂车间，技术员正在调试镀金设备，将接口触点放入电镀槽，电流表显示电流稳定在 2A；旁边的模具台上，增强型屏蔽罩的冲压模具正在试生产，钢板经冲压后形成带接地孔的罩体。档案资料：《硬件优化工艺卡》详细标注 “镀金温度 50℃、时间 10 分钟”“屏蔽罩厚度 1mm”。】
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